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摘要:
推荐文章
45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型
超浅结亚45nm MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术
纳米MOSFET
小信号等效电路
参数提取
毫米波
双端口网络
散射参数
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于模型的设计技术加快45nm IC的量产速度
来源期刊 电子设计技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2007,(11) 所属期刊栏目 技术前沿
研究方向 页码范围 28-30
页数 2页 分类号 TP3
字数 2200字 语种 中文
DOI
五维指标
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计技术
月刊
1023-7364
11-3617/TN
16开
北京市
1994
chi
出版文献量(篇)
5532
总下载数(次)
6
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1789
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