铜掺杂多孔硅的光致发光及其载流子的复合过程

• 作者: 于育民 薛清
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 傅里叶变换红外 浸泡镀敷
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 878-880
• 页数: 3页
• 分类号: O433|TN304.2
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.09.007

摘要

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移.多孔硅发光峰住的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛清	淮海工学院数理科学系	10	16	2.0	3.0
2	于育民	南阳理工学院应用数学系	47	65	4.0	6.0