铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究

• 作者: 张国恒 张汉谋 马书懿
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 稀土 电化学掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 596-598
• 页数: 3页
• 分类号: O649.4|O484.4
• 字数: 2792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.04.025

摘要

采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土铈(Ce)元素.利用原子力显微镜表征了多孔硅和Ce掺杂多孔硅的表面形貌,采用荧光分光计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究.多孔硅样品在480nm波长激发下PL谱上观察到两个发光峰,分别位于572和650nm;通过光致发光激发谱测量,得到位于572、650nm的发光峰对应的最佳激发波长分别为380和477nm.Ce掺杂多孔硅样品在480nm波长激发下,PL谱上只显示出多孔硅原有的发光增强;而在380nm波长激发下的PL谱上不仅显示多孔硅原有的发光增强,而且还出现了新的发光峰位于517nm.认为这分别是Ce3+与nc-Si发生了能量传递和Ce掺杂引入了新的发光中心所造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	张国恒	西北师范大学物理与电子工程学院	8	62	4.0	7.0
3	张汉谋	西北师范大学物理与电子工程学院	7	23	3.0	4.0