温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

• 作者: 刘正义 柳锡运 沈辉 胡芸菲 郭志球
• 来源期刊: 华南理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜 沉积温度 晶体生长 晶体取向 太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 化学化工
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TK514
• 字数: 3268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-565X.2007.04.016

摘要

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正义	华南理工大学机械工程学院	91	1225	21.0	32.0
2	沈辉	中山大学太阳能系统研究所	121	1808	24.0	37.0
3	郭志球	华南理工大学机械工程学院	4	191	4.0	4.0
4	柳锡运	华南理工大学材料科学与工程学院	4	65	3.0	4.0
5	胡芸菲	中山大学太阳能系统研究所	1	5	1.0	1.0