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E类放大电路中晶体管的功率损耗
E类放大器
晶体管
功率损耗
DC-DC变换器
硅PNP型大功率达林顿晶体管
达林顿晶体管
PNP
大功率
工艺流程
功率晶体管热阻测试条件确定方法
功率晶体管
热阻
测试条件
高频大功率晶体管的失效分析
高频大功率晶体管
失效分析
芯片粘接
散热
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 飞思卡尔超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 射频功率 LDMOS 漏极 放大器设计 工作频率范围 等离子体发生器 元件数量 核磁共振成像 电路板空间 工作电压
年,卷(期) bdtxx_2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 26-26
页数 1页 分类号 TN323.4
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研究主题发展历程
节点文献
射频功率
LDMOS
漏极
放大器设计
工作频率范围
等离子体发生器
元件数量
核磁共振成像
电路板空间
工作电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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