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摘要:
为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
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文献信息
篇名 基于SiGe异质结的双极型晶体管设计
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 微波集成电路 SiGe异质结双极晶体管(HBT) 器件参数 带宽
年,卷(期) 2007,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 72-75
页数 4页 分类号 TN325.3
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谌贵辉 西南石油大学电子信息工程学院 44 141 7.0 8.0
2 张华斌 电子科技大学中山学院电子工程系 22 41 4.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
微波集成电路
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
器件参数
带宽
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导