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CAD4四圆单晶衍射仪的技术改造
CAD4
技术改造
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高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
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体硅工艺
晶向
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SiC单晶圆片的低缺陷技术
来源期刊 半导体信息 学科 经济
关键词 圆片 SIC 晶体生长 日本制 幅度控制 温度分布 工艺控制
年,卷(期) 2007,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-25
页数 1页 分类号 F416.63
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研究主题发展历程
节点文献
圆片
SIC
晶体生长
日本制
幅度控制
温度分布
工艺控制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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