GaN基功率型LED可靠性分析

• 作者: 严丽红 伊晓燕 刘志强 王立彬 王良臣 陈宇 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 功率型LED 老化实验 退化机理 可靠性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 500-503
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.128

摘要

以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2.56%;对LED的失效机理分析表明,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、p型电极的欧姆接触稳定性等均对LED可靠性有重要的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中国科学院半导体研究所集成技术中心	280	3753	31.0	42.0
2	陈宇	中国科学院半导体研究所集成技术中心	87	614	12.0	20.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所集成技术中心	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所集成技术中心	31	192	8.0	13.0
5	王立彬	中国科学院半导体研究所集成技术中心	5	46	4.0	5.0
6	伊晓燕	中国科学院半导体研究所集成技术中心	11	52	4.0	7.0
7	严丽红	中国科学院半导体研究所集成技术中心	1	1	1.0	1.0