UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

• 作者: 刘梅冬 姜胜林 江勤 陈实
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非制冷红外焦平面阵列 微桥 各向异性腐蚀 腐蚀装置
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TM215
• 字数: 2128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.02.022

摘要

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
2	姜胜林	华中科技大学电子科学与技术系	101	727	15.0	21.0
3	陈实	华中科技大学电子科学与技术系	65	372	11.0	16.0
4	江勤	华中科技大学电子科学与技术系	2	11	2.0	2.0