半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜

• 作者: 姚素薇 姜莹 张卫国 王宏智
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 NiFe缓冲层 纳米晶 生长模式 AMR
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.01.025

摘要

采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件.由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度＞25 nm时,可形成连续性镀层.I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5 nm.XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向.当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%.