射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)制备Si-O-N特种阻隔包装材料的研究

• 作者: 周美丽 葛袁静 陈强
• 来源期刊: 包装工程
• 学科: 工学
• 关键词: 阻隔包装 Si-O-N RF-PECVD,性能
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 包装科学与工程
• 页码范围: 10-12,22
• 页数: 4页
• 分类号: TB484.9
• 字数: 3286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3563.2007.01.004

摘要

采用13.56MHz射频等离子体聚合装置,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气以及氮气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积硅氧氮薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电工作压强、放电功率、沉积时间和氧气、氮气、氩气和单体的比例等,研究所制备硅氧氮薄膜的性能.通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)表征分析沉积膜的化学组成;采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能,探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响以及氮的加入对薄膜柔韧性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	125	542	10.0	17.0
2	葛袁静	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	27	150	8.0	10.0
3	周美丽	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	8	24	3.0	4.0