InN薄膜的氧化特性研究

• 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 江若琏 濮林 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InN 氧化铟 氧化 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1032-1035
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.068

摘要

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性.研究表明,在400℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化.因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化,在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化.在400℃以上的氧化过程中,InN的表观氧化速率非常慢,这可能和InN的高温分解有关.InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.