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摘要:
TiO2作为高介电常数材料已被广泛研究.为了防止TiO2与Si基底发生反应,在Si与TiO2之间加入与TiI2结构相似热稳定性好的ZrO2作为过渡层.改变TiO2薄膜厚度,并在900℃对薄膜进行1h退火处理.通过XRD分析显示,随着TiO2厚度减小,各衍射峰强度逐渐降低,但各峰位及其相对强度无明显变化.通过SEM可以发现,热处理前各薄膜均无裂纹和孔洞.热处理后,TiO2厚度为150m及80nm的薄膜平整光滑无裂纹孔洞,晶粒排列致密晶界清晰,当TiO2厚度降为30nm时,薄膜仍平整光滑,只在晶界上出现因热处理而产生的缩孔.
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电致变色
电化学测试
TiO2
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 过渡层ZrO2对不同沉积厚度TiO2薄膜结构的影响
来源期刊 材料导报 学科 化学
关键词 TiO2薄膜 ZrO2过渡层 电子束蒸发 薄膜厚度 薄膜结构
年,卷(期) 2007,(8) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 146-147
页数 2页 分类号 O6
字数 1778字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.08.038
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨陈 西北工业大学材料学院 7 29 4.0 5.0
2 惠迎雪 西安工业大学光电学院 38 186 6.0 12.0
4 杜玉军 西安工业大学光电学院 26 142 6.0 11.0
传播情况
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1997(1)
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研究主题发展历程
节点文献
TiO2薄膜
ZrO2过渡层
电子束蒸发
薄膜厚度
薄膜结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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