附加碳源对SiC单晶生长过程的影响

• 作者: 乔冠军 刘军林 杨建峰 程基宽 蒋仙 高积强
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 PVT SiC晶体 附加碳源
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1661-1664
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 1250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.09.035

摘要

研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强		69	664	17.0	20.0
2	乔冠军		112	1262	19.0	29.0
3	杨建峰		4	11	2.0	3.0
4	程基宽		4	4	1.0	1.0
5	刘军林		4	3	1.0	1.0
6	蒋仙		2	1	1.0	1.0