SNO2掺Sb薄膜导电机理

• 作者: 杨珺 杨贤镛 陈洪
• 来源期刊: 科技咨询导报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电薄膜 导电性能 梯掺杂二氧化锡薄膜 导电率
• 年，卷（期）: 2007,（15）
• 所属期刊栏目: 工程技术
• 页码范围: 41
• 页数: 1页
• 分类号: TP393
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-098X.2007.15.035

摘要

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能.掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在.对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈洪	湖北工业大学机械工程学院	25	100	5.0	8.0
2	杨贤镛	湖北工业大学机械工程学院	5	29	3.0	5.0
3	杨珺	湖北工业大学机械工程学院	1	1	1.0	1.0