一种新型亚阈值MOSFET电流模基准电路

• 作者: 王安福 王家鑫
• 来源期刊: 郧阳师范高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电流模基准电路 亚闲值MOSFET 反馈 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 自然科学研究
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-6072.2008.06.007

摘要

提出了一种结构新颖的亚网值MOSFET电流模基准电路,利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量(ICTAT)的函数,降低了其温漂系数.对电路进行了仿真,获得了较好的性能指标,这种电路结构在[-20℃～100℃]温度范围内对输出基准电压进行很好的高阶温度曲率补偿,能够获得很低的温漂系数(TC|TT约6.25ppm/℃),最小工作电压不大于1V.