用于存储器电路的ONO结构特性研究

• 作者: 吴晓鸫 周川淼
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 存储器 ONO I-V特性 IPD
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1113-1115,1119
• 页数: 4页
• 分类号: TP333.5
• 字数: 2997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.011

摘要

为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴晓鸫		6	2	1.0	1.0
2	周川淼		2	2	1.0	1.0