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摘要:
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响.采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5 000line/mm x射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm~110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件.
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文献信息
篇名 电子束光刻制备5 000 line/mm光栅掩模关键技术研究
来源期刊 微细加工技术 学科 工学
关键词 电子束光刻 X射线透射光栅 邻近效应校正 X射线光刻
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 电子束技术
研究方向 页码范围 4-5,13
页数 3页 分类号 TN405
字数 1706字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
电子束光刻
X射线透射光栅
邻近效应校正
X射线光刻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微细加工技术
双月刊
1003-8213
43-1140/TN
大16开
湖南省长沙市
1983
chi
出版文献量(篇)
672
总下载数(次)
2
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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