利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

• 作者: 周江 张贤高 徐岭 徐骏 李伟 李卫 陈坤基
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅阵列 场发射 非晶碳
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 573-577
• 页数: 5页
• 分类号: O462.4|TN873.95
• 字数: 2818字
• 语种: 中文

摘要

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性.同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性.为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜.与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加.结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性.