铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析

• 作者: WANG Zhi-wu YANG Qing-dou 刘文 李华平
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝 反应磁控溅射 X射线衍射 化学计量比 击穿场强 结合力
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2908字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AIN薄膜.利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响.结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AIN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文	深圳大学光电子学研究所	29	73	5.0	7.0
2	YANG Qing-dou	深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0
3	李华平	深圳大学光电子学研究所	2	83	2.0	2.0
4	WANG Zhi-wu	深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0