基片位置对微波等离子体合成金刚石的影响

• 作者: 孙蕾 汪建华 满卫东 谢鹏
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 金刚石 微波等离子体 生长
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2008.03.003

摘要

用自制的微波功率为5kW的微波等离子体(MPCVD)装置、用H2/CH4/H2O作为反应气体在较高的沉积气压(12.0 kPa)条件下,研究了基片放置在等离子体球边缘附近不同位置对CVD金刚石沉积和生长的影响.结果表明,CVD金刚石的形核和生长对环境的要求是不同的;在等离子体球边缘处不利于金刚石的形核,但有利于高质量金刚石的沉积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学等离子体化学与新材料省级重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	满卫东	武汉工程大学等离子体化学与新材料省级重点实验室	45	370	11.0	16.0
3	谢鹏	武汉工程大学等离子体化学与新材料省级重点实验室	13	110	6.0	10.0
4	孙蕾	武汉工程大学等离子体化学与新材料省级重点实验室	7	73	4.0	7.0