B掺杂CVD金刚石厚膜的应力研究

• 作者: 卢文壮 左敦稳 徐锋 王珉
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 应力 B掺杂 金刚石厚膜 XRD
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1010-1013
• 页数: 4页
• 分类号: TG115.22
• 字数: 2491字
• 语种: 中文

摘要

在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响.结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加.在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力,在高掺杂时应力状态为张应力,张应力值随着掺杂浓度的增加而增加.掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力,在高掺杂时的张应力值较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢文壮	南京航空航天大学机电学院	94	520	12.0	17.0
5	左敦稳	南京航空航天大学机电学院	510	3780	26.0	32.0
6	徐锋	南京航空航天大学机电学院	85	541	13.0	18.0
7	王珉	南京航空航天大学机电学院	205	2631	27.0	40.0