掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析

• 作者: 李荣斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石薄膜 掺杂 应力
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3428-3434
• 页数: 7页
• 分类号: O46
• 字数: 4967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.063

摘要

在不同实验条件下,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在Si基体上制备了S掺杂和B-S共掺杂CVD金刚石薄膜,利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪研究掺杂对CVD金刚石薄膜的应力影响.研究结果发现,随着S掺杂浓度的增加,薄膜中sp2杂化碳含量和缺陷增多,CVD金刚石薄膜压应力增加;小尺寸的B原子与大尺寸的S原子共掺杂时,微量B的加入改变了CVD金刚石薄膜的应力状态,共掺杂形成B-S复合体进入金刚石晶体后降低金刚石晶体的晶格畸变程度,减少S原子在晶界上偏聚数量和晶体中非金刚石结构相含量,降低由于杂质、缺陷及sp2杂化碳含量产生的晶格畸变和薄膜压应力,提高晶格完整性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李荣斌	上海电机学院材料成型系	39	108	5.0	8.0