高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

• 作者: 宋标 谢爱根 赵浩峰
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 高能 金属 有效真二次电子发射系数 入射角度 逸出深度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 53-55,68
• 页数: 4页
• 分类号: O462.2
• 字数: 1776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2008.06.015

摘要

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢爱根	南京信息工程大学数理学院	20	51	4.0	6.0
2	赵浩峰	南京信息工程大学数理学院	34	76	5.0	7.0
3	宋标	南京信息工程大学数理学院	15	41	4.0	6.0