Si3 N4/SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究

• 作者: 刘刚 刘梦新 海潮和 王立新 蔡小五 陆江
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 叠层栅 界面态电荷 氧化物俘获电荷 电容
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 754-756,777
• 页数: 4页
• 分类号: TN86
• 字数: 1554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.04.019

摘要

本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
4	陆江	中国科学院微电子研究所	12	42	4.0	6.0
5	刘梦新	中国科学院微电子研究所	16	70	5.0	7.0
6	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0