248nm光致抗蚀剂成膜树脂研究进展

• 作者: 晏凯 邹应全
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 248nm光致抗蚀剂 化学增幅 成膜树脂 聚对羟基苯乙烯 非化学增幅
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 37-43
• 页数: 7页
• 分类号: TS802.3
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2008.02.008

摘要

光致抗蚀剂(photoresist)是制造超大规模集成电路的关键性材料之一,随着集成电路集成度的不断增加,光致抗蚀剂由g线(436nm)胶、i线(365nm)肢,逐渐发展到深紫外(DUV)(248nmKrF与193 nmArF)胶.成膜树脂作为光致抗蚀剂的主要成分之一,决定了抗蚀剂的主要性能,因此研究成膜树脂具有重要的意义.本文综述了248 nm KrF光致抗蚀剂成膜树脂的研究进展,重点介绍了聚对羟基苯乙烯及其衍生物,并简要介绍了其合成方法及成像机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹应全	北京师范大学化学学院	39	169	5.0	11.0
2	晏凯	北京师范大学化学学院	1	4	1.0	1.0