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0.13μm工艺与248nm KrF光刻机
0.13μm工艺与248nm KrF光刻机
作者:
翁寿松
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
0.13μm工艺
248nmKrF光刻机
高k/低k绝缘材料
铜互连
摘要:
ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术.248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).
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期刊文献
内容分析
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(/次)
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文献信息
篇名
0.13μm工艺与248nm KrF光刻机
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
0.13μm工艺
248nmKrF光刻机
高k/低k绝缘材料
铜互连
年,卷(期)
2003,(5)
所属期刊栏目
器件与制造
研究方向
页码范围
58-60,6
页数
4页
分类号
TN305
字数
2285字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1681-1070.2003.05.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
翁寿松
95
534
13.0
18.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
0.13μm工艺
248nmKrF光刻机
高k/低k绝缘材料
铜互连
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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