超临界CO2萃取硅表面有机污染物研究

• 作者: 王成端 韩如冰
• 来源期刊: 科技导报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 超临界CO2 萃取 硅片 有机污染物
• 年，卷（期）: 2008,（23）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: X506
• 字数: 2823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7857.2008.23.011

摘要

研究利用超临界CO2萃取方法去除硅片上有机污染物的效果.通过用润滑油模拟有机污染物,对污染量、萃取压力、萃取温度做正交实验,分析去除率:对萃取前后的硅片做电镜扫描实验、X射线光电子谱扫描实验.分析硅片型貌和电子结构变化.实验结果表明,去除率随着压力和温度的升高而升高,但温度的影响程度小于压力;去除效果随着污染量的增加而略有降低,但去除率均在92%以上;电镜扫描图片显示,萃取前后硅片型貌没有发生变化;X射线光电子谱扫描图显示,除了碳污染水平不同,萃取前后的硅片表面电子结构基本相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王成端	西南科技大学环境与资源学院	127	1160	15.0	28.0
2	韩如冰	西南科技大学环境与资源学院	23	31	2.0	5.0