GaN基材料及其外延生长技术研究

• 作者: 刘一兵 刘国华 黄新民
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 金属有机物化学气相淀积 分子束外延 氢化物气相外延 缓冲层
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 153-157
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|TN304.055
• 字数: 4520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.03.006

摘要

介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)、衬底材料的选择及缓冲层技术;分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展;指出今后的研究重点是完善GaN体单晶材料的生长工艺,以利于深入研究GaN的物理特性及有效地解决衬底问题,研究缓冲层的材料、厚度、组分等以提高GaN薄膜质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘一兵	湖南大学电气与信息工程学院	22	487	12.0	22.0
5	黄新民	湖南大学电气与信息工程学院	11	190	5.0	11.0
7	刘国华	湖南大学电气与信息工程学院	8	150	4.0	8.0