X波段大功率GaN HEMT的研制

• 作者: 冯志宏 冯震 宋建博 张志国 李亚丽 杨克武 王勇 蔡树军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓基高电子迁移率晶体管 X波段 输出功率 功率增益 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 318-321
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2|TN323.4
• 字数: 1334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.06.002

摘要

在研制了A1GaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽A1GaN/GaN HEMT.直流测试中,Vg=0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A,最大本征跨导Gmax为520 mS,夹断电压Voff为-5 V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到一20 V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34 V时,器件在8 GHz下连续波输出功率为16 W,功率增益为6.08 dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5 mm×4四胞器件,在8 GHz下,连续波输出功率42 W,功率增益8 dB,峰值功率附加效率34%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
2	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
3	宋建博	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	8	2.0	2.0
4	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
5	李亚丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	12	2.0	3.0
6	冯志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	10	1.0	3.0
7	蔡树军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	45	3.0	6.0