一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

• 作者: 侯智昊 刘泽文 李志坚 胡光伟
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: MEMS专集
• 页码范围: 656-659
• 页数: 4页
• 分类号: TN385|TN62|TN305.8
• 字数: 1797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2008.04.031

摘要

设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RF MEMS开关.单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构.整个SP4T开关包括与50 Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad).测试数据表明,开关驱动电压18.8 V;插入损耗S21<0.26 dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz;隔离度S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3 GHz的频段内均较小,非常适合低频使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯智昊	清华大学微电子学研究所	6	16	3.0	4.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	胡光伟	清华大学微电子学研究所	5	16	3.0	4.0
4	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0