单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测

• 作者: 付博 刘国栋 江继军 王伟平 王贵兵 罗福
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 超快光学 飞秒激光 抽运-探测 载流子动力学 单晶硅表面
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 测量技术
• 页码范围: 1365-1369
• 页数: 5页
• 分类号: TN247
• 字数: 3395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.09.014

摘要

利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程.基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程.经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106cm/s.建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程.研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟平	中国工程物理研究院流体物理研究所	32	288	11.0	16.0
2	王贵兵	中国工程物理研究院流体物理研究所	19	158	9.0	11.0
3	刘国栋	中国工程物理研究院流体物理研究所	17	74	5.0	8.0
4	罗福	中国工程物理研究院流体物理研究所	15	128	6.0	11.0
5	付博	中国工程物理研究院流体物理研究所	15	51	5.0	6.0
6	江继军	中国工程物理研究院流体物理研究所	9	90	5.0	9.0