基于AlN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

• 作者: 孙以材 王云彩 耿青涛 陈杰
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 芯片设计 多晶硅 力敏电阻
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究动态
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN202|TP212.11
• 字数: 3917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2008.01.003

摘要

探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好.利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条.利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布.确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式.并且施加10kPa压力时,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力o11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力尸N与膜厚t的关系曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材		117	1247	18.0	31.0
2	陈杰		2	4	2.0	2.0
3	王云彩		2	4	2.0	2.0
4	耿青涛		2	4	2.0	2.0