高k电介质及其设备

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高k电介质 金属栅极 氧化铪 设备
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 本期专题(前道制造技术)
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.003

摘要

"2007年11月,英特尔量产高k电介质45 nm微处理器".它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化.它可确保摩尔定律至少再延续10年.但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/金属栅极在高性能和低功耗(LOP)IC的预期应用时间是2010年.制造高k电介质的设备是化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)设备.制造金属栅极的设备是物理气相沉积(PVD)和ALD设备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0