用10 MeV质子和钴60 γ射线进行CCD空间辐射效应评估

• 作者: 于庆奎 唐民 孙吉兴 张延伟 张海明 朱恒静
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 辐射效应 电离总剂量效应 位移效应
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 可靠性技术
• 页码范围: 391-394
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2008.04.021

摘要

文章用10Mev质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重.因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应.文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张延伟	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	24	105	6.0	9.0
2	唐民	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	14	65	5.0	7.0
3	于庆奎	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	14	65	5.0	7.0
4	朱恒静	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	18	57	4.0	6.0
5	孙吉兴	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	2	19	2.0	2.0
6	张海明	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	3	44	3.0	3.0