一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

• 作者: 刘新宇 吴德馨 王显泰 程伟 葛霁 金智 陈高鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碰撞电离 温度依赖 超高速InP基SHBT SDD模型
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1799-1803
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.031

摘要

从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
4	程伟	中国科学院微电子研究所	28	428	9.0	20.0
5	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
6	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
7	陈高鹏	中国科学院微电子研究所	5	24	3.0	4.0