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用模型参数优化法改进带隙基准的温度
用模型参数优化法改进带隙基准的温度
原文服务方：
微电子学与计算机
摘要：
以GP模型理论和工艺数据为基础,提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法.以典型的带隙基准电路为例,经Hspice仿真分析表明,在-55～125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善.
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研究主题发展历程
节点文献
GP模型
XTB
XTI
带隙基准
温度特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位：
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-7180
CN：
61-1123/TN
开本：
大16开
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
1972-01-01
语种：
chi
出版文献量（篇）
9826
总下载数（次）
0
总被引数（次）
59060
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