AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应

• 作者: 张燕 李雪 白云 龚海梅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: γ辐照 AlGaN 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 20-22,40
• 页数: 4页
• 分类号: TN23
• 字数: 1966字
• 语种: 中文

摘要

对AlGaN 肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化.实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势.同时辐照还引起了器件的电容的频率特性的增强,并且降低了器件的响应率.这些现象可能是γ辐照在AlGaN材料中诱生了新的缺陷能级造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室	69	451	10.0	18.0
2	白云	中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室	19	37	4.0	6.0
3	张燕	中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室	84	800	13.0	26.0
4	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感器技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0