低k电介质及其设备

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔低k电介质 Cu互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 制造工艺与设备
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.05.006

摘要

低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45 nm芯片制造的标准工艺.90 nm工艺要求k=3.0～2.9,65 nm工艺要求k=2.8～2.7,45 nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电.对于22 nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0