SOI NMOSFEET单粒子效应的3-D模拟

• 作者: 彭菲 海潮和 赵发展 郭天雷
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 SOI SRAM 加固
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 159-162,205
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 1983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.01.040

摘要

随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要.本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流.良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0
3	赵发展	中国科学院微电子研究所	13	109	5.0	10.0
4	彭菲		1	1	1.0	1.0