磷扩散氧化锌单晶的性质

• 作者: 张瑞 张瑶 杨俊 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散 缺陷 ZnO 红磷
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1674-1678
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.007

摘要

分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单品进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显.PL测试结果表明,掺杂样品在420～550nm范围的可见光发射与缺陷有关.XPS测试表明:在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位.最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞	中国科学院半导体研究所	62	318	11.0	14.0
2	杨俊	中国科学院半导体研究所	99	1556	22.0	36.0
3	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
4	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
5	张瑶	中国科学院半导体研究所	28	270	6.0	16.0