热致封装效应对MEMS器件谐振特性影响的单元库模型

• 作者: 唐洁影 宋竞 黄庆安
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 热致封装效应 谐振 单元库思想 节点分析法
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 943-947
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN405
• 字数: 4624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2008.05.020

摘要

大量试验和数值仿真结果均已确认封装-器件的热失配对MEMS器件性能及可靠性有显著影响,即热致封装效应.然而迄今为止仍缺乏有效的物理模型对此加以系统描述.本文基于单元库法思想和节点法分析手段构建了MEMS热致封装效应的理论模型.通过对非器件结构如锚区、衬底等标准化单元建模,扩充了节点分析法在封装级MEMS仿真领域的应用.文中以常见MEMS基本器件和封装结构为例进行了研究,计算了热致封装效应对器件谐振特性的影响,并利用有限元仿真进行验证.最后讨论了封装级MEMS设计面临的挑战.