Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响

• 作者: 姜兆华 孙秋 王福平 魏兆冬
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 稀土掺杂 介电性能 极化行为
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 872-876
• 页数: 5页
• 分类号: TG15
• 字数: 3707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.002

摘要

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT);介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量>2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势,而可逆极化值变化较小.在弱电场下(低于矫顽场Ec),用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律,1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大,说明薄膜中缺陷的浓度最低.1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜兆华	哈尔滨工业大学应用化学系	152	1472	21.0	30.0
2	王福平	哈尔滨工业大学应用化学系	82	808	17.0	23.0
3	魏兆冬	哈尔滨工业大学应用化学系	2	12	1.0	2.0