基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT);介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量>2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势,而可逆极化值变化较小.在弱电场下(低于矫顽场Ec),用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律,1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大,说明薄膜中缺陷的浓度最低.1mol%Gd掺杂的薄膜介电和铁电性能的改善与Gd3+在PZT晶格中的占位情况有关.
推荐文章
PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能
PZT铁电薄膜
射频磁控溅射
退火温度
掺杂对PZT铁电陶瓷的介电铁电性能的影响
PZT陶瓷
掺杂
剩余极化
损耗角正切
锡掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响
氧化镍
电致变色
掺杂改性
光调制
掺杂对钛酸锶钡陶瓷介电性能的影响
钛酸锶钡
掺杂
介电性能
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响
来源期刊 无机材料学报 学科 工学
关键词 PZT薄膜 稀土掺杂 介电性能 极化行为
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 872-876
页数 5页 分类号 TG15
字数 3707字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姜兆华 哈尔滨工业大学应用化学系 152 1472 21.0 30.0
2 王福平 哈尔滨工业大学应用化学系 82 808 17.0 23.0
3 魏兆冬 哈尔滨工业大学应用化学系 2 12 1.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (6)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (11)
同被引文献  (7)
二级引证文献  (21)
1989(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2000(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2005(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2012(3)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(1)
2013(5)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(2)
2014(6)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(5)
2015(9)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(9)
2016(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2017(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2018(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2019(3)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
PZT薄膜
稀土掺杂
介电性能
极化行为
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
论文1v1指导