Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

• 作者: 刘国营 柳擎 罗时军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 Co和Nb掺杂 PZT铁电薄膜 sol-gel法 电学性质
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.08.011

摘要

用sol-gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(101)为首要方向的多晶结构.结果表明,Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在掺杂x(Nb)为1%~10%内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国营	湖北汽车工业学院理学部	29	71	4.0	7.0
3	罗时军	湖北汽车工业学院理学部	36	63	4.0	6.0
6	柳擎	华中科技大学物理系	3	12	2.0	3.0