铜抛光液的电化学行为研究

• 作者: 康仁科 李秀娟 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 哈尔滨工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 电化学 交流阻抗谱 电极过程
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 页码范围: 1144-1147
• 页数: 4页
• 分类号: TH177.2
• 字数: 3179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0367-6234.2008.07.032

摘要

为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅片的氧化、溶解和腐蚀抑制行为,以双氧水为氧化剂,柠檬酸为络合剂,苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂,在pH5的条件下进行抛光液的电化学行为研究.测试了铜在抛光液中的极化曲线、交流阻抗谱以及静腐蚀量.试验结果表明:添加络合剂柠檬酸降低了原来处于钝化状态下的铜抛光液系统的阻抗;加入缓蚀剂BTA后,Cu-H2O2-Citric acid-BTA系统的交流阻抗值增大.测试到的Cu-H2O2-Citric acid系统由于存在铜的不可逆氧化过程,导致了Warburg阻抗的存在;添加BTA后,在铜的表面生成了CuBTA的缓蚀膜,抑制了铜的腐蚀并改变了铜在Cu-H2O2-Citric acid系统中的电化学反应过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	李秀娟	华东政法学院知识产权学院	32	191	8.0	13.0
5	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0