串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究

• 作者: 侯智昊 刘泽文 刘理天 李志坚 胡光伟
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: MEMS专集
• 页码范围: 660-663
• 页数: 4页
• 分类号: TN385|TN62|TN305.8
• 字数: 1589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2008.04.032

摘要

介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造.所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1 GHz以下才能获得较高隔离度的缺点.其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10 GHz)的问题.其插入损耗为-0.88 dB@3 GHz,在6 GHz以上,插入损耗为-0.5 dB;隔离度为-33.5 dB@900 MHz、-24 dB@3 GH和-20 dB@5 GHz,适合于3～5 GHz频段的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	侯智昊	清华大学微电子学研究所	6	16	3.0	4.0
3	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
4	胡光伟	清华大学微电子学研究所	5	16	3.0	4.0
5	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0