自缓冲层对Bi4Ti3O12铁电薄膜结构和性能的影响

• 作者: 姬洪 宋晓科 左长明 张宇 王小平
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 物理学
• 关键词: BIT 自缓冲层 择优取向 应力 摇摆曲线
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 336-338
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1

摘要

铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系。采用X射线衍射（XRD）对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12（BIT）铁电薄膜进行了择优取向和应力分析，研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理。3片BIT薄膜的内应力均为张应力，并随着（200）峰与（117）峰相对强度的增强而变小，结果表明：a轴择优的BIT薄膜性能最好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	141	6.0	11.0
2	姬洪	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	20	67	4.0	7.0
3	左长明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	14	3.0	3.0
4	王小平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	11	2.0	3.0
5	宋晓科	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0