脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

• 作者: 吴克跃 王海旭 许丽 金峰 黄伟其
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 激光辐照 纳米网孔壁 光致荧光增强 氧化
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN249
• 字数: 2254字
• 语种: 中文

摘要

将功率密度约为0.5 J·s-1·cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064 nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构;该结构有很强的光致荧光,其强度比该样品的瑞利散射强;发光峰中心约在700 nm处.在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光,这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用.用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理,并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应.当激光辐照时间为9 s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定,且有较强的光致荧光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伟其	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	40	77	5.0	6.0
5	许丽	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	11	49	5.0	6.0
6	吴克跃	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	6	19	2.0	4.0
7	金峰	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	3	15	2.0	3.0
8	王海旭	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	8	29	3.0	5.0