利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究

• 作者: 余金中 曾玉刚 韩根全
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge量子点 ArF准分子激光退火,光致量子点 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 641-644
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.005

摘要

使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20～25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×1010cm-2.分析表明,在ArF准分子激光脉冲作用下,退火样品只有表面扩散,并没有体扩散.激光脉冲对表面Ge原子的扩散控制导致了Ge量子点形貌发生了巨大的改变.该方法为获得高密度小尺寸的Ge量子点提供了新的途径.采用原子力显微镜对光致量子点的表面形貌进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩根全	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	曾玉刚	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	12	28	2.0	5.0