氮化硅薄膜传感器的平面加工工艺研究

• 作者: 冷毅 刘胜 姚媛 徐勇 谭六喜 赵根宝
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 氮化硅 平面加工工艺 过载保护
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 沿革与探讨
• 页码范围: 59-60,64
• 页数: 3页
• 分类号: TP221
• 字数: 1416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2008.02.019

摘要

介绍一种以氮化硅薄膜为压力敏感膜、多晶硅为电阻应变计的压力传感器.该压力传感器先后采用2种不同的平面加工工艺进行加工,实际结果表明:改进后的工艺比较好.通过采用对称分布在一个敏感膜上的4只多晶硅电阻应变计串联组成惠斯通电桥的一个桥臂,减少桥臂电阻的制作误差.制作传感器样品并对传感器的电压输出特性进行了测试.测试结果表明:恒流激励的传感器的电压输出特性非常好,传感器具有过载保护功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘胜	华中科技大学机械科学与工程学院	75	815	15.0	25.0
2	赵根宝		4	13	1.0	3.0
3	谭六喜	华中科技大学机械科学与工程学院	3	24	2.0	3.0
4	徐勇	韦恩州立大学电子与计算机工程学院	2	4	1.0	2.0
5	冷毅		1	1	1.0	1.0
6	姚媛		4	13	2.0	3.0